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高纯试剂分析及高纯试剂分类
发布时间:
2024-01-30
纯度远高于优质级的试剂称为高纯度试剂。它是在通用试剂的基础上发展起来的，是专门用途的特殊方法生产的纯试剂。高纯度试剂控制杂质含量，而参比试剂控制主要含量。参比试剂可以使用标准溶液制备，但高纯度试剂不能用于制备标准溶液 (元素氧化物除外)。
纯度远高于优质级的试剂称为高纯度试剂。它是在通用试剂的基础上发展起来的，是专门用途的特殊方法生产的纯试剂。高纯度试剂控制杂质含量，而参比试剂控制主要含量。参比试剂可以使用标准溶液制备，但高纯度试剂不能用于制备标准溶液 (元素氧化物除外)。
目前，国际上还没有统一明确的规范。在中国，除少数产品制定了国家标准外，大多数高纯试剂的质量标准还很不一致，有高纯、超纯、光谱纯、电子纯等不同名称。产物的纯度一般用9表示。因此，在 “规范” 列中，标记2 9s、3 9s、4 9s等。根据这一原理，高纯度物质可分为:
杂质总含量不超过1.5 × 10-2%，纯度3.5 9s (99.95) 简称3.5N
杂质总含量不超过1.0 × 10-2%，纯度4 9s (99.99) 简称4.0N
杂质总含量不超过1.0 × 10-3%，纯度5 9s (99.999) 简称5N
高纯试剂或元素纯度或杂质含量的检验，一般采用原子吸收光谱法、原子发射光谱法、色谱法、质谱法、比色化学分析法等方法测定。阴离子规格一般以试剂级标准为依据，无级标准的产品由生产单位自行制定。根据不同的用途，高纯度试剂进一步分为几类:
普通纯化试剂
是指一些高纯度的单质金属、氧化物、金属盐等，常用于原子能工业材料、电子工业材料、半导体基础材料等。金属元素氧化物用于制备标准溶液并用作标准物质。这种类型的试剂通常需要4N-6N之间的含量。
超净电子纯试剂:
超净和高纯度试剂是集成电路 (ic) 制造过程中的专用化学品，用于硅晶片清洁，光刻和腐蚀过程。对这种高纯度试剂中的可溶性杂质和固体颗粒的要求非常严格。为了满足日益增长的集成电路集成需求，半导体工业协会最近推出了Semic7 (适用于0.8-1.2微米工艺技术) 和Semic8 (适用于0.2-0.6微米工艺技术) 级别的试剂质量标准。在现有MOS级和bv-i级试剂的基础上，我国还制定了bv-ii和bv-iii级试剂的标准 (相当于Semic7)。我所还开发了各种MOS级、bv-i级、bv-ii级、部分bv-iii级试剂，粒径 (0.5粒径) ≤ 25-100个/ml，金属杂质总量 ≤ 10-3-10-5%
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